光刻胶是一种应用普遍的光致聚合质料，在电子、光电子、半导体器件等多个领域都有着重要的应用。下面我们将先容一下光刻胶的流程及应用。
光刻胶流程：
1.洗濯基片：将基片浸泡在去离子水中，以除去外面杂质。
2.旋涂光刻胶：将光刻胶滴在基片上，并通过旋转让光刻胶平均涂散在基片外面。
3.预烘干：将涂有光刻胶的基片举行烘干，以除去水分。
4.曝光：将印刷版瞄准烘干后的基片，在紫外线下曝光。
5.显影：用显影液将未曝光的光刻胶洗去，形成露出的芯片图案。
6.后烘、固化：将基片烘干，以固化露出的芯片图案。
光刻胶应用：
光刻胶普遍应用于生产微电子元件、半导体器件、光电子器件、LCD屏和显像管等领域。
以晶体管制造为例，光刻胶可以辅助形成差异的掩膜结构，随后通过刻蚀等工艺制造出差异尺寸、差异形态的晶体管，完成有源器件或存储器件的制造。
总之，光刻胶在现代电子制造领域中饰演着重要的角色。
