当今电子产物的迅猛生长有赖于半导体器件手艺的一直完善。MOS管是一种常见的场效应晶体管，普遍应用于从电源治理器件到集成电路的各个领域。本文主要讨论MOS管的事情原理。
MOS管的基本结构
MOS管的主要组成部门包罗n型基底、p型沟道区和接在沟道上的金属栅。MOS管的导电性能泉源于沟道区域的p型半导体质料。沟道区外面有极薄的金属氧化物层，该层会受到栅极电场的影响而形成正负两种电荷的浓度变化，从而影响沟道区的电导率。栅极电压的变化会直接影响沟道区电荷密度的变化，从而发生一个与栅极电压成正比的漏极电流。
MOS管的事情原理
MOS管在事情时，当栅极施加一定的正向电压时，由于栅极电场的作用，p型沟道区外面就会形成一层导电的n型区域，此时MOS管泛起出导通状态，在导通状态的情形下，MOS管的泄电流与栅极电压成正比。当向栅极施加负偏压时，栅极电场对沟道区的影响就会变小，n型区域逐渐减小，MOS管的泄电流一直减小，最终转变为制止状态。
MOS管的应用场景
MOS管由于具有电压驱动小、功耗低等特征，被普遍应用于直流/直流转换器、功率开关、音频放大器以及在变换器中用作反馈控制元器件等领域。此外，在高速集成电路等领域，MOS管逐渐取代了其他晶体管类型，成为不行或缺的半导体器件。
